数据列表 IRF7343PbF
 
产品相片 8-SOIC
 
标准包装 4,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 阵列
系列 HEXFET®
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 55V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 4.7A，3.4A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 50 毫欧 @ 4.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 36nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 740pF @ 25V
功率 - 最大值 2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SO
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1525 (CN2011-ZH PDF)
 
其它名称 IRF7343PBFTR