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场效应管 -- IRF630NPBF - 场效应管 MOSFET N TO-220 200V 9.5A
数据列表 IRF630PBF
Packaging Information
产品相片 TO-220-3, TO-220AB
产品目录绘图 IR(F,L)x Series Side 1
IR(F,L)x Series Side 2
标准包装 1,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 9A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 400 毫欧 @ 5.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 43nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 800pF @ 25V
功率 - 最大值 74W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装 管件
产品目录页面 1528 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRF630PBF