数据列表 FQP10N60C, FQPF10N60C
 
产品相片 TO-220-3, TO-220AB
 
标准包装 50
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 QFET™
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 9.5A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 730 毫欧 @ 4.75A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 57nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 2040pF @ 25V
功率 - 最大值 156W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
包装 管件