产品信息
芯片 MOSFET/IGBT驱器 半桥
驱动芯片类型: 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET） 模块配置: 半桥 输出电流 峰值: 360mA 电源电压范围: 10V 到 20V 封装类型: SOIC 针脚数: 8 输入延迟: 680ns 输出延时: 150ns 工作温度范围: -40°C 到 +125°C MSL: MSL 2 - 1年 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 偏移电压: 600V 功耗, Pd: 0.625W 器件标号: 2103 封装类型: SOIC 工作温度敏: -40°C 工作温度最高: 125°C 时间, t off: 150ns 时间, t on: 680ns 电源电压 最大: 20V 电源电压 最小: 10V 芯片标号: 2103 表面安装器件: SMD 输出电压: 620V 输出电压 最大: 20V 输出电压 最小: 10V 输出电流: 210mA 输出电流 汲入型 最小: 270mA 输出电流 流出型 最小: 130mA 输出通道数字: 2 逻辑功能号: 2103