产品信息
芯片 半桥驱动自振荡
驱动芯片类型: 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 模块配置: 高压侧 输出电流 峰值: 260mA 电源电压范围: 10.1V 到 16.8V 封装类型: 双列直插 针脚数: 8 输出延时: 350ns 工作温度范围: -40°C 到 +125°C SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 器件标号: 2153 封装类型: DIP 工作温度敏: -40°C 工作温度最高: 125°C 电源电压 最大: 16.8V 电源电压 最小: 10.1V 表面安装器件: Through Hole 输出电压: 625.3V 输出电压 最大: 625V 输出电流: 180mA 输出电流 最大: 0.18A 输出通道数字: 2