2.1.1 电源和晶振
Vdd—运行和程序校验时加+5V。
Vss—接地。
XTAL1—输入到振荡器的反相放大器。
XTAL2—反相放大器的输出，输入到内部时钟发生器。
2.2.2 I/O口
当使用片外存储器（ROM及RAM）时，作地址和数据总线分时复用。在程序校验期间，输出指令字节（这时，需加外部上拉电阻）。作输入口时，应先用软件置“1”。
P0—8位、漏极开路的准双向I/O口。
P1--8位、准双向I/O口，具有内部上拉电阻。
在编程/校验期间，用做输入低位字节地址。作输入口时，应先用软件置“1”。
P2--8位、准双向I/O口，具有内部上拉电阻。
当使用片外存储器（ROM及RAM）时，输出高8位地址。在编程/校验期间，接收高位字节地址。作输入口时，应先软件置“1”。
P3--8位、准双向I/O口，具有内部上拉电阻。作输入口时，应先软件置“ 1”。
P3提供各种替代功能。在提供这些功能时，其输出锁存器应由程序置1。
串行口：
P3.0—RXD串行输入口
P3.1—TXD串行输出口
中断：
P3.2—/INT0外部中断0，输入。
P3.3—/INT1外部中断1，输入。
定时器/计数器：
P3.4—T0定时器/计数器0的外部输入。
P3.5—T1定时器/计数器1的外部输入。
数据存储器选通：
P3.6—/WR，低电平有效，输出，片外数据存储器写选通。
P3.7—/RD，低电平有效，输出，片外数据存储器读选通。
2.1.3 控制线
1、输入：
RST—复位输入信号，高电平有效。在振荡器工作时，在RST上作用两个机器周期以上的高电平，将器件复位。
EA/Vpp—片外程序存储器访问允许信号，低电平有效。在编程时，其上施加21V的编程电压。
2、输入、输出：
ALE/PROG—地址锁存允许信号，输出。用做片外存储器访问时，低字节地址锁存。ALE以1/6的振荡频率稳定速率输出。可用做对外输出的时钟或用于定时。在EPROM编程期间，作输入。输入编程脉冲（/PROG）。
3、输出：
/PSEN—片外程序存储器选通信号，低电平有效。在从片外程序存储器取指令期间，在每个机器周期中，当/PSEN有效时，程序存储器的内容被送上P0口。